本论文采用气液相化学沉积方法制备了In₂S₃以及In₂S₃基稀磁半导体纳米颗粒；研究了材料的结构、光学和磁学特性；探索了高压对In₂S₃、In₂S₃:Ce、La2S3、Ho₂S₃和Tm2S3的相结构影响。取得创新成果如下：1.利用气液相化学沉积方法合成了具有较小尺寸（5-6nm）的In₂S₃、In₂S₃:Eu和In₂S₃:Ce纳米颗粒，Eu和Ce提高了In₂S₃的发光强度,其中掺杂Ce的样品强度提高了一个数量级，表现出显著的量子尺寸限制效应。2. In₂S₃:Eu在235K发生了超顺磁性到磁长程有序态的磁相变，在66K发生磁长程有序态到量子超顺磁性的量子磁相变。3. Ce含量0.71%和0.91%的In₂S₃:Ce纳米颗粒分别在300K和340K发生了超顺磁性到磁长程有序态的磁相变，在15K和45K发生磁长程有序态到量子超顺磁性的量子磁相变。4. In₂S₃:Eu和In₂S₃:Ce纳米颗粒的磁性分别来源于Eu和Ce离子，磁性机制是以s电子为媒介的Eu或Ce离子之间的交换作用。5. Eu含量的不断增加导致Eu的富集，反铁磁性增加，磁化强度随Eu含量的增加，呈现先增大后减小的趋势。6. Ce离子掺杂引起大的载流子浓度，掺杂含量增加载流子浓度增大，磁相变阻碍温度升高，In₂S₃:Ce纳米颗粒表现出室温铁磁性。7.高压研究表明，In₂S₃和In₂S₃:Ce分别在7.1GPa和4.3GPa发生由四方相到立方相的转变；Ce掺杂降低了晶格结构的稳定性和相转变势垒，相转变压力和体弹模量减小。8.高压研究表明，La2S3在10.2GPa由正交晶相转变为立方相；Ho₂S₃和Tm2S3分别在9.3GPa和11.2GPa由单斜晶相转变为正交晶相；受阳离子半径减小影响，Ho₂S₃的相转变压力和体弹模量小于Tm2S3的。