论文部分内容阅读
锆钛酸铅镧(PLZT)具有良好的铁电介电和光学性能,在铁电存储器(FRAM)、动态随机存储器(DRAM)等方面应用前景广阔。本文旨在采用Sol-Gel法,制备出具有良好铁电介电和光学性能的PLZT薄膜,并采用新技术获得PLZT薄膜的微细图形。采用FT-IR、TEM、改进的sawyer-tower电路、LCR数字电桥等手段,分别探讨了稳定溶胶的成膜机理、热处理条件对薄膜晶相转变的影响以及不同工艺参数对薄膜铁电以及光学性能的影响,研究发现: (1)本研究采用的含Pb、Zr或T