Micro-LED具有高亮度,低功耗,寿命长,高响应速度等优秀特性,现已成为显示领域的热点,Micro-LED全彩显示屏迎来快速发展期,Ga N基蓝光和绿光Micro-LED的制备相对成熟,所以红光Micro-LED制备的研究对未来实现Micro-LED的全彩显示尤为重要。本文对红光Micro-LED从外延片的生长到金属焊盘的制作6步工艺做出详细的介绍,分析进行每一步工艺的原因、工艺的难点及其解决方法。为了进一步了解红光Micro-LED的物理特性,本文对红光Micro-LED进行一系列的表征测试和对比实验,可以分为3个阶段,由浅入深地测试和分析。第一阶段,在蔡司显微镜下观察红光Micro-LED的器件形态,并且测试常温下(300K)的I-V曲线,得到开启电压为1.97V,计算得到理想因子为2.2,推测该器件侧壁存在缺陷,并且测试了光谱曲线,得到中心波长为635nm,半高宽为17nm。第二阶段,分别测试了不同形状的红光Micro-LED的I-V曲线,数据处理得到J-V曲线,发现侧壁面积与发光面积的比值越大,则电流密度越小;测试了圆形和方形红光Micro-LED的光分布,发现方形Micro-LED的光分布比圆形Micro-LED的分布更加均匀,所以在电极的Mask设计时,电极要对称设计,电流和发光才能更加均匀。第三阶段对红光Micro-LED的电学和光学特性的温度依赖性进行研究,随着温度的升高,正向电压降低,电流密度增大,光谱红移,半高宽也在减小。对比同一尺寸下的Al Ga In P基红光Micro-LED和Ga N基蓝光MicroLED的I-V曲线,由于Al Ga In P基红光Micro-LED的边缘效应更加明显,所以红光Micro-LED的正向电流比蓝光Micro-LED的正向电流小两个数量级,因此,在显示领域,红光Micro-LED更难达到显示亮度的要求,但是对比两者的温度灵敏度,发现红光Micro-LED的温度灵敏度(S=2.97m V/K)却是蓝光MicroLED(S=1.43m V/K)和其它二极管温度传感器的两倍,所以红光Micro-LED具有做温度传感器的潜质。未来是一个人工智能时代,5G+VR的结合势必会带动Micro-LED的进一步发展,Micro-LED也将会在更多的领域发挥重要作用。