SiC材料作为新型宽禁带半导体材料,受到了半导体业内人士以及科学家们的广泛关注,尤其是在Si基器件逐渐达到物理极限的当代。以SiC材料为基的器件迁移率非常低,主要原因是SiC/SiO₂界面处极高的界面态,使得SiC基MOS器件等包含SiC/SiO₂界面的器件其性能受到不良影响。高的近界面缺陷存在于MOS结构中时,会产生陷阱,从而捕获载流子,也会增加电子散射,这样一来器件的沟道电子迁移率就会下降,器件性能受到影响。为了提高器件性能,近年来越来越多的研究人员开始关注SiC/SiO₂界面处缺陷对电子状态的影响,先前有一些关于SiC中缺陷电子状态的研究,但SiC/SiO₂界面的研究还不够全面,本文新的探索在于点缺陷周围原子的特征以及产生缺陷能级。通过研究近界面处SiC侧的点缺陷,得到界面处缺陷对电学性质的影响。了解界面处缺陷影响电学性质的原理,可以让我们更加清楚界面态的起源,从而进一步提出改善界面态的实验方案,这为提升SiC器件性能打下了基础。本文通过仿真计算主要研究了四种缺陷相关界面结构,这些缺陷包括:Si空位,C空位,双空位以及反对位。由于SiC在界面处与氧化层相接触的原子层类型会影响界面处缺陷的作用,研究过程中特别的区分了Si接触面结构和C接触面界面。利用第一性原理相关计算理论,通过Material Studio软件包,我们构造了SiC/SiO₂界面结构,计算结果表明,点缺陷Si空位、C空位、双空位以及反对位存在于SiC/SiO₂界面时,禁带中会出现大量态密度,产生特定的缺陷能级,而且通过对局域态密度进行分析,缺陷的态密度与缺陷周围某几个个原子表现出极强的相关性,界面处费米能级也在引入缺陷后发生了偏移。这些缺陷能级将以陷阱的形式捕获一部分载流子,使得近界面处载流子浓度下降,这样载流子的迁移率也会受到影响。分接触面讨论结果可见,在Si接触面结构中,某个格点位置的缺陷只会使得靠近缺陷位置的原子其态密度发生巨大的变化,但是离缺陷位置较远的原子的影响相比之下很小。在C接触面结构中,某个格点位置的缺陷除使得靠近缺陷位置的原子其态密度发生巨大的变化外,C接触面下双空位和反对位对接触面上的C原子层也存在巨大影响,而其他位置较远的原受到的影响相比之下非常小。最后,我们结构的态密度进行了分轨道分析,2p轨道处缺陷能级处发生了很大变化,对于空位缺陷而言,这些最外层电子并未与其他任何原子形成共价键,而是以悬挂键的形式存在,这些悬挂键产生缺陷能级,对载流子的运动形成了阻碍。对于双空位和反对位原子,缺陷的存在使得界面同样产生了态密度,原本稳定的态密度分布,缺陷引入后从结构图和分原子分析,我们认为缺陷的出现使得界面的C原子最外层普遍受到了影响,被体系中原本稳定的共价键打破,从而产生了禁带中的态密度峰,带来了新的缺陷能级。