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钙钛矿半导体因光吸收能力强与带间缺陷密度低的特点,具有一定的光电应用前景。钙钛矿半导体纳米晶体因量子限制效应具有荧光线宽窄化、荧光产率高的发光性质。为了进一步提高钙钛矿半导体纳米晶体光电性能,本论文采用金属掺杂对量子点稳定性和光电性质进行调控,得到如下研究结果:第一,针对小尺寸CsPbI3量子点存在的不稳定性与无法清洗提纯的问题,本论文尝试利用Sr2+掺杂,结合热注射法,得到了尺寸为6.5nm的Sr2+掺杂CsPbI3量子点。与相同条件制备的未掺杂CsPbI3量子点相比,6.5nm的Sr2+掺杂CsPbI3量子点的稳定性得到显著提升,并可利用乙酸乙酯进行清洗提纯,有助于其在光电应用领域的发展。第二,金属-半导体纳米异质结构可提高半导体中热电子产生效率,但因半导体与金属的态密度不匹配导致了热电子转化受限。本论文尝试通过将CsPbBr3量子点与AuBr3溶液的混合反应,利用量子点表面配体油胺还原Au3+,得到了Au-CsPbBr3纳米复合结构。我们发现适量Au掺杂在量子点表面出现～2nm的Au纳米团簇,量子点的荧光出现淬灭,且荧光寿命从2.8ns降至0.5ns。而利用辛硫醇处理Au后,量子点荧光与荧光动力学过程逐渐恢复,进一步证实了 Au-CsPbBr3纳米复合结构的成功制备,为后续金属-钙钛矿半导体纳米异质结构的制备和热电子器件应用奠定了基础。第三,Mn2+掺杂钙钛矿半导体量子点具有双色发光特点,部分课题组提出该量子点适合作为白光照明、太阳能集线器方面应用。本论文通过热注射法制备了Mn2+掺杂CsPbC13量子点。实验中,我们发现Mn2+荧光在极低的连续光激发强度(～10mW/cm2)下出现饱和行为,且激发强度直接调控双色荧光强度。通过激发光重复频率的改变,我们发现Mn2+中4T1态激发与退激发过程不平衡导致激子到Mn2+的能量转移过程失效,使得量子点产生荧光饱和行为。双色荧光可调谐性说明了 Mn2+掺杂CsPbCl3量子点应用于高亮度照明时可能产生发光颜色的变化,也表示Mn2+掺杂CsPbCl3量子点具有光强指示、光学防伪等方面的应用可能。