场发射显示器(FED)具有低功耗、高亮度、宽视角、响应时间短等优点，是非常有应用前景的新型平板显示器件。近期，人们发现纳米线冷阴极具有优异的场发射特性。但是，如何低成本制备大面积的带栅极的纳米线冷阴极FED器件仍然是一个难题。　　 本论文简要综述了场发射显示器件的工作原理、器件结构和研究状况，重点介绍10英寸背栅极和复合栅极结构的氧化铜纳米线冷阴极FED阴极基板的制作工艺的研究结果。本论文的主要研究结果如下：　　 1.采用有限元仿真软件模拟了背栅极结构和复合栅极结构FED的电场分布，模拟结果证明了这两种结构在FED器件应用中的可行性。　　 2.发展了采用湿法刻蚀制作10英寸背栅极结构和复合栅极结构FED的阴极基板的工艺技术，验证了10英寸面积内制作均匀显示的带栅极结构纳米线FED的可行性。进一步了优化电子束蒸发蒸镀氧化铝绝缘层的工艺，提高了绝缘层耐压性能。优化了器件结构和湿法刻蚀工艺，提高了栅极与背电极接触的可靠性。　　 3.研制出采用CuO纳米线阴极的10英寸全封装复合栅极结构场发射显示器原型器件。经动态测试，栅极电压最小在150 V能对CuO纳米线阴极实现较好控制，器件可实现行列寻址及字符显示。