在信息化高速发展的今天,有机半导体具有良好的电学和光学等性能,已经引起了人们的越来越多的重视。传统的无机半导体技术已经成为信息化社会的支柱技术,但无机半导体工艺存在投资成本高、制备工艺复杂、不适用柔性基底和大面积生产等不足制约了其发展。有机电子器件的制备工艺简单,成本低,可以大面积批量制备,可与柔性衬底兼容,完全可以满足低端电子产品产业化的需求,并且有机光电器件已在诸多领域成功应用。为研究酞菁铜的光电特性,首先测定了有机半导体材料酞菁铜（CuPc）吸收的光谱,通过理论分析和计算得到CuPc的最小禁带宽度为1.7eV。通过真空镀膜工艺,成功制备了叠层结构的有机光电二极管。使用溴钨灯光源测量了试制二极管的光电特性,得到短路光电流密度28.2×10 ?6 A /mm2,开路光电压0.18V。实验表明,在二极管的反向区,有光条件对比无光条件,电流值提高非常显著。并结合能带图理论,解释了酞菁铜薄膜与铝膜的肖特基接触接触感光特性。在酞菁铜薄膜光电二极管的基础上,使用真空镀膜工艺,在玻璃基板上制备了结构为ITO/CuPc/Al/CuPc/Cu五层薄膜的垂直型有机光电三极管。并对该有机光电三极管进行了如下两种测试:将ITO作为发射极,Al作为基极,Cu作为集电极。使用溴钨灯照射发射极ITO薄膜,测试器件输出特性曲线,并据此算出三极管放大倍数β为2.12,光生电流为3.3×10^-7A。将Cu作为发射极,Al作为基极,ITO作为集电极,当溴钨灯光从ITO薄膜照射进去时,测试器件输出特性曲线,当光照时,V_b对电流Iec控制效果不明显,在不同V_b电压下I_ec曲线基本重合。其原因是由于当光照射作为集电极的ITO时,集电极光生载流子注入到基极,转化为基极的驱动电流,影响了V_b对Iec的控制。