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近年来,以碳化硅(Silicon Carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effecttransistor,MOSFET)为代表的宽禁带半导体器件,凭借其高开关速度、高开关频率、高热传导率等优点,已成为高频、高效、高温逆变器应用的理想选择。为了更好地发挥SiC器件特性优势,论文针对SiC MOSFET在高开关速度下串扰现象明显及高开关频率下死区效应加剧问题,开展SiC MOSFET逆变器驱动设计及死区消除的适应性研究,主要研究内容包括:(1)针对传统驱动下SiC MOSFET受器件高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加明显,而现有抑制串扰驱动电路又往往带来增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度的弊端,开展抑制桥臂串扰现象的门极驱动电路研究。首先,论文阐述了串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,基于控制辅助三极管开断,降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想,提出一种在栅源极增加三极管串电容新型辅助支路的改进驱动方法,分析了改进驱动电路工作原理及其关键参数设计原则。最后,搭建双脉冲测试实验平台,并在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下,对改进驱动设计进行验证。(2)针对SiC MOSFET开关频率提升致使死区时间对逆变器输出特性影响加剧,而传统死区补偿方法存在补偿效果不佳或误补偿等问题,提出一种考虑电流纹波因素的在线自适应死区消除方法。首先,论文阐述了死区效应产生原理及其传统补偿方法。其次,基于死区消除原则,通过在线计算单个调制周期内电流纹波最大值,自适应检测出负载电流过零区域宽度,实现整个调制周期内有效消除死区效应。最后,开展SiC MOSFET逆变器样机实验,对比不同开关频率下死区对逆变器输出性能影响,并在不同电压调制比下对本文提出方法进行有效性验证。(3)为了进一步分析研制的SiC MOSFET逆变器样机性能,论文理论分析和实验对比了硅(Silicon,Si)绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)与SiC MOSFET逆变器的损耗分布及带载效率。首先,搭建了Si IGBT与SiC MOSFET逆变器实验样机平台。其次,建立了电压源逆变器的损耗计算模型,并对其损耗分布与效率曲线进行理论分析。最后,基于Si IGBT与SiC MOSFET逆变器样机平台,在不同开关频率与输出功率下对样机效率进行评估。论文研究成果对发挥SiC MOSFET逆变器性能优势,及推广SiC器件在高开关速度、高开关频率场合下的应用具有重要的学术价值和实践意义。