硅基QPD探测器在实际生活中具有广泛的应用,是激光制导、激光准直、激光光斑探测系统的重要组成部分,激光辐照致使其处于失灵状态在应用中不可避免地,这对硅基QPD的应用造成了很大的影响,因此研究毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器相互作用的电学参数对硅基QPD探测器防护、抗干扰等应用领域的发展具有指导性意义。本论文通过理论、仿真和实验对毫秒脉冲激光与硅基QPD作用的温度、输出电流、目标探测定位和暗电流进行了研究。理论方面:建立了毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用热学模型和电学模型。外置偏压40V时,毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用的热学模型中,实现对激光辐照硅基QPD探测器温度演化的理论分析。在毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用的电学模型中,分别建立了输出电流模型、目标探测定位模型和暗电流模型,实现对激光辐照硅基QPD探测器输出电流、目标探测定位以及暗电流的理论分析。仿真方面:基于理论模型建立了毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用热学仿真模型、输出电流仿真模型、目标探测定位仿真模型和暗电流仿真模型。热学仿真模型仿真了激光作用点温度的演化。电学仿真模型仿真了毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用时四个象限的输出电流。目标探测定位仿真通过计算分析了激光光斑性质对定位的影响。暗电流仿真模型仿真了不同偏压时的暗电流。实验方面:搭建了毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器单一象限相互作用实验平台,开展了温升、输出电流和暗电流等实验研究。通过实验得到了硅基QPD探测器上表面激光作用点的温度、输出电流、暗电流随激光能量密度和脉冲宽度的变化关系。将其与仿真结果对比,验证了毫秒脉冲激光与硅基QPD探测器相互作用的热学模型和电学模型的合理性,重点分析了单一象限电流对其他象限输出电流的影响,激光作用结束后电流的弛豫现象以及对QPD探测器定位结果的影响。