氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)是一种性能优异的半导体材料,其薄膜具有高的透明度,同时具有一定的导电性,被广泛应用于各种平板显示器、太阳能电池、气体传感器、功能型玻璃等领域。ITO主要有两种晶体结构:立方相(c-ITO)和六方相(h-ITO)。其中,球形形貌的c-ITO粉体可用于制备高密度ITO靶材,而h-ITO粉体,在某些方面具有更为优异的性能,如高的素坯密度以及稳定的电导率。本文通过二元混合溶剂热法制备出h-ITO粉体,采用柠檬酸钠辅助二元混合溶剂热法制备出c-ITO微球,采用花粉模板辅助共沉淀法得到了 c-ITO多孔空心微球,研究了实验条件对ITO粉体物相、形貌及电阻率的影响,结果如下。采用二元混合溶剂热法制备ITO粉体,氨水为沉淀剂,水-有机溶剂二元混合溶剂作为反应介质。当采用水-丙三醇(GL)二元混合溶剂作为反应介质,二者体积比为1:1时,在200℃下反应8 h,并在400℃马弗炉中煅烧处理2h,制备出了单一六方相ITO粉体,粉体由10～20nm的小颗粒和200 nm左右的不规则块状组成,分散性较好,并且电阻率最低为 1.258 Ω·cm。采用柠檬酸钠辅助二元混合溶剂热法制备ITO粉体。反应介质采用水和乙醇的混合溶液,尿素为碱源。当不加入任何添加剂时,得到的ITO粉体为10～20nm的小颗粒,粉体之间存在明显团聚现象;当添加EDTA-Na2时,得到的ITO粉体为10～20nm的小颗粒团聚体,存在少量100 nm左右的球;添加酒石酸钠时,得到的ITO粉体呈大块状和少量微米级球;当添加剂采用柠檬酸钠,其添加量按照n(In3+):n(sodium citrate)=1:1时,得到了粒径均匀、分散性良好的立方相ITO微米球,平均粒径为2.75μm,并且电阻率为1.311 Ω·cm。以柠檬酸钠为形貌控制剂,油菜花花粉为模板,通过共沉淀法制备ITO粉体。粉体为立方相结构,呈微米级多孔空心球,粒径均匀,尺寸大约为20 μm。花粉作为模板,表面含有大量官能团,能够吸附铟锡离子,通过加碱形成前驱体沉淀包裹在花粉表面,600℃煅烧2 h除去模板,形成ITO多孔空心微球;另一方面,在柠檬酸钠的作用下,形成球形ITO粉体。二者共同作用,最终形成球壳表面附着有大量200～300 nm小球的ITO多孔空心微球,比表面积为36.80 m2/g。