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目的:探讨电针百会、神庭穴是否通过嘌呤受体P2X7R、P2Y1R调控缺血再灌注损伤大鼠神经炎症反应,影响大鼠学习记忆能力。阐明电针治疗脑缺血再灌注损伤后学习记忆能力障碍的可能机制。方法:1.将100只雄性Sprague-Dawley大鼠随机分为假手术组(n=18)和造模组(n=82),造模组大鼠制备成左侧大脑中动脉缺血再灌注损伤模型(Middle Cerebral Artery Occlusion and Reperfusion,MCAO/R)。术后采用Zea-longa评分进行神经功能缺损评估,剔除手术失败和死亡大鼠,将造模成功MCAO/R大鼠完全随机分为模型组(n=18)、电针组(n=18)和非穴组(n=18)。术后次日开始干预,电针组取穴百会、神庭,非穴组取双侧胁下髂嵴上非经非穴部位,选用疏密波,电压峰值为6 v,频率为2/20 Hz,每次电针干预30 min,每天1次,连续干预7天。2.干预前及干预后第1、3、7天,各组大鼠采用Zea-longa评分评估神经功能缺损情况;干预前及干预7天后,采用小动物核磁共振成像分析系统对各组大鼠进行T2加权成像(T2-eighted Image,T2WI)扫描,观察各组大鼠脑梗死体积,并采用跳台实验检测大鼠学习记忆能力;干预后第3天开始采用Morris水迷宫训练并检测大鼠学习记忆能力。3.采用免疫组化法观察各组大鼠左侧缺血周围海马CA1区和内侧前额叶皮质P2X7R、P2Y1R、ED1及GFAP表达情况;采用免疫荧光双标法观察P2X7R分别与ED1和GFAP,P2Y1R分别与ED1和GFAP共定位情况;采用ELISA法检测各组大鼠左侧缺血周围海马和内侧前额叶皮质组织炎症因子白细胞介素-1β(Inter1eukin-1β,IL-1β)和肿瘤坏死因子-α(Tumor Necrosis Factor,TNF-α)表达水平。结果:1.神经功能缺损情况:术后假手术组未出现神经功能缺损症状;干预前模型组、电针组与非穴组大鼠右侧肢体均存在不同程度神经功能缺损症状,Zea-Longa评分结果组间比较无差异(P>0.05);干预7天后,电针组大鼠的Zea-Longa评分低于模型组、非穴组(P<0.05)。2.学习记忆能力水平:水迷宫定向航行实验结果显示模型组与假手术组相比,大鼠逃避潜伏期显著延长(P<0.01);干预第4、5、6天,电针组大鼠逃避潜伏期较模型组、非穴组缩短(P<0.01)。空间探索实验结果显示模型组与假手术组相比,大鼠穿越平台次数明显减少(P<0.01);电针组大鼠穿越平台次数较模型组、非穴组增加(P<0.05)。跳台实验结果显示模型组与假手术组相比,大鼠潜伏期显著缩短(P<0.01),干预前模型组、电针组与非穴组大鼠潜伏期无明显差异(P>0.05)。干预7天后,电针组大鼠潜伏期较模型组、非穴组延长(P<0.05)。3.脑梗死体积:术后假手术组大鼠未出现脑梗死损伤。干预前模型组、电针组与非穴组大鼠出现脑梗死损伤,脑梗死体积组间比较无差异(P>0.05);干预7天后,电针组大鼠脑梗死体积较模型组、非穴组减少(P<0.05)。4.嘌呤受体P2X7R、P2Y1R表达以及小胶质细胞和星形胶质细胞活化情况:免疫组化结果显示假手术组大鼠左侧缺血周围海马CA1区和内侧前额叶皮质胶质细胞样P2X7R和P2Y1R、活化的小胶质细胞ED1和星形胶质细胞GFAP阳性表达少于模型组(P<0.01)。电针组大鼠胶质细胞样P2X7R和P2Y1R,以及ED1和GFAP阳性表达较模型组、非穴组减少(P<0.05)。免疫荧光结果显示假手术组大鼠左侧缺血周围海马CA1区和内侧前额叶皮质P2X7R+/ED1+、P2X7R+/GFAP+、P2Y1R+/ED1+及 P2Y1R+/GFAP+双阳性共标表达少于模型组(P<0.01)。电针组大鼠P2X7R+/ED1+、P2X7R+/GFAP+、P2Y1R+/ED1+及 P2Y1R+/GFAP+双阳性共标表达较模型组、非穴组减少(P<0.05)。5.炎症因子1L-1β、TNF-α表达:假手术组大鼠左侧缺血周围海马和内侧前额叶皮质炎症因子1L-1β、TNF-α表达水平低于模型组(P<0.05)。电针组大鼠炎症因子1L-1β、TNF-α表达水平较模型组、非穴组降低(P<0.05)。结论:电针百会、神庭穴通过抑制嘌呤受体P2X7R、P2Y1R表达,改善缺血再灌注损伤大鼠左侧缺血周围海马和内侧前额叶皮质神经炎症反应,包括减少小胶质细胞、星形胶质细胞活化及炎症因子1L-1β、TNF-α表达,改善MCAO/R大鼠学习记忆障碍。