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一个新型的由两个CrIII离子所取代的化合物[N(CH3)4]4[A-β(1,2)-SiW10Cr2O36(HO)2(H2O)2]·5H2O (1)从SiW9通过常规的合成方法被得到，在反应过程中发生了从β-SiW9到β-SiW10的转化，而且在该转化的过程中β-结构的构型没有发生改变被保留了下来。所以该结构相对于反应物质来说位置和反演中心都没有发生旋转，这在合成多酸化合物中是很少见的。以前各课题组只是通过由γ-SiW10来合成得到β-SiW10，通过对该化合物的合成方法的研究我们找到了一条新的合成β-SiW10系列化合物的途径。单晶数据分析显示化合物1属于正交晶系P2(1)2(1)2(1)，其中a=12.495(5), b=13.068(5), c=34.428(5), V=5621.563, Z=4。在化合物1中CrO4(OH)(H2O)和CrO3(HO)2(H2O)八面体以共角相连填充到A-β-SiW9O3410–多酸阴离子的相邻的两个空位，同时另外一个空位由一个WO6八面体填充，从而形成了一个β-Keggin型的硅钨酸阴离子[A-β(1,2)-SiW10Cr2O36(HO)2(H2O)2]4–。从对化合物1进行的价键计算的数值可以得到，Cr1-O33-Cr2和Cr2-O21-W8的两个桥氧原子（O33，O21）被部分质子化形成-OH，同时Cr1和Cr2的两个端氧原子（O16，O27）被全部质子化形成配位水分子。对化合物1的循环伏安曲线分析得到在负电极电势区域，CrIII离子没有发生CrIII/CrII的还原过程，同时由于CrIII的取代使化合物1中的WVI/WV的还原波向负电位移动。化合物1的荧光吸收数据显示由于CrIII离子中发生4A2g→4T1g之间的电子跃迁，使化合物1在410-500nm之间有很强的吸收峰而且与量子计算的结果相一致。对于化合物1的固体漫反射光谱分析得到由于CrIII离子中4A2g→4T1g的电子跃迁，使化合物1在634nm处有强烈吸收峰，计算得到禁带宽度的数值为2.35ev，属于半导体物质。测量化合物1的变温磁化率显示由于两个相邻的Cr3+的相互作用使化合物1显示反铁磁性，该结果与其他的由相邻的双核金属取代所形成的keggin型多酸化合物的磁性结果相一致。