多孔硅生长的三维Monte Carlo模拟

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rights_2005
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该文采用修正的渗逾模型,通过简单的三维Monte Carlo计算,模拟了P型多孔硅中孔形成的动力学过程.计算结果表明:长成的孔的形貌主要与衬底的掺杂浓度有关;在所有的强发光多孔硅的表面及体内都存在海绵状的多孔结构;孔度的最大值并不是在最外表面,而是在表面下的某个层区上;硅耗尽层的宽度取决于多孔硅的孔度,孔度越高,宽度越小;在高孔度多孔硅中,表面的孔度梯度最很大的,预期此特征正是决定多孔硅发光成功与失效的关键之一;在相同的电流条件下,低掺杂衬底上所生长出来的多孔硅的孔度比高掺杂的高.
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