目的:铟(indium,In)是自然界中存在的一种金属,在工业中应用广泛,接触人员不断增加。吸收入血的铟迅速转运到软组织和骨骼。胶体状的铟被白细胞吞噬后送到肝和脾的网状内皮系统。进入体内的铟主要蓄积在骨骼;皮下注射时,大部的铟蓄积在皮肤和肌肉内;腹腔注射时,铟多蓄积在肠系膜和肝脏,然后转移到脾、肾和骨骼等。金属铟实际上是没有毒的,然而铟的可溶性化合物都是有毒的。硫酸铟(indium sulfate)是具有代表性的铟的可溶性化合物。本研究旨在探讨体外实验条件下硫酸铟的毒性,并从氧化应激(oxidative stress)的角度研究硫酸铟引起的V79细胞损伤的机制、维生素C(Vc)对该损伤的拮抗作用,以寻找有效的拮抗剂,为今后铟环境暴露的预防工作提供部分相关资料。方法:本研究分为三个部分。第一部分:以V79为研究对象,首先,通过MTT法研究硫酸铟对细胞的一般毒性,观察不同浓度硫酸铟染毒不同时间时细胞存活率的变化,并了解浓度-时间-毒性效应之间的关系,据此为后期深入研究筛选硫酸铟染毒剂量;第二部分:在第一部分确定的硫酸铟染毒剂量范围内,观察硫酸铟对细胞内总蛋白含量的影响,用流式细胞仪检测硫酸铟对细胞周期的影响,用Annexin V-FITC/PI凋亡试剂盒,检测细胞凋亡率,观察硫酸铟对细胞内总超氧化物歧化酶(T-SOD)活力和丙二醛(MDA)含量的影响;第三部分:研究Vc的拮抗作用,探讨Vc存在的条件下,硫酸铟对V79细胞凋亡率、细胞内T-SOD活力和细胞内MDA含量的变化。结果:硫酸铟从2 mmol/L(作用24h)、8mmol/L(作用2h)开始即对V79细胞生长产生明显抑制作用,细胞存活率呈浓度-时间依赖性降低。在硫酸铟作用下,细胞内总蛋白含量无显著性变化;细胞周期分布发生变化,G1期、G2/M期细胞含量减少,S期细胞含量增多;Annexin V-FITC/PI双标法显示,硫酸铟对V79细胞有促凋亡作用;在硫酸铟的作用下,细胞内总SOD活力减弱,MDA含量增多,差异有统计学意义(P〈0.05)。100μmol/L的Vc在一定程度上拮抗硫酸铟引起的V79细胞凋亡。100μmol/L的Vc对硫酸铟所致V79细胞内SOD活力的减弱和MDA含量的增加也有拮抗作用,差异有统计学意义(P〈0.05)。结论:本研究结果显示:硫酸铟低浓度、短时间染毒即可明显抑制V79细胞增殖;硫酸铟可以引起V79细胞周期分布改变;同时可引起细胞凋亡率的升高。硫酸铟引起V79细胞内SOD活力减弱及MDA含量增加,表明硫酸铟对V79细胞产生氧化损伤作用。100μmol/L的Vc可以在一定程度上拮抗该损伤,适宜的剂量可以起到较好的拮抗作用,但500μmol/L的Vc反而加剧了细胞损伤。综合结果,本文认为硫酸铟引起细胞脂质过氧化,继而引发细胞周期的变化和细胞凋亡率的升高。