随着科技进步,人们对数据处理与存储的要求大幅度增加。阻变存储器集成存储和计算为一个单元,在下一代存储技术中展现出巨大的能源效率和硬件开发优势,同时基于阻变存储器神经形态计算的研究在模式识别、感知学习和卷积神经网络等方面都有很好的应用前景。另外,电子消费产品的生产和使用产生了大量的电子废物,硅基消费电子产品的寿命短,回收率低,因此逐渐出现了生态问题。基于有机材料的阻变存储器具有很多优势:成本低廉、工艺简单、易于大面积成膜以及制备、柔性可弯曲等。聚丙烯酸（PAA）和聚乙烯亚胺（PEI）分别为聚阴阳离子电解质,是两种稳定性好的环境友好型材料。本文尝试利用磁控溅射技术和旋转涂覆工艺制备了基于聚电解质的新型阻变存储器,并重点探讨了电阻转变机制以及影响存储性能的因素。首先,本文在制备的ITO/PAA/PEI/ITO器件结构中比较了不同的溶液浓度和分子量,实验结果表明当溶液浓度为0.25 wt.%,选择PAA和PEI分子量分别为3,000和750,000时,其薄膜性能和器件的阻变行为（Resistive Switching,RS）最好。该器件展现出了出色的电阻开关RS性能和突触功能以及更大的灵活性,与基于氧化物的存储器相比,在DC扫描模式下,可保持50倍的开/关电阻比达20,000次循环（平坦状态）和超过4,000次循环（弯曲至2毫米半径10,000次）,并且它还可以在85℃下保持10,000秒。更重要的是,该器件还可以模拟完整的突触功能,包括脉冲时序依赖可塑性、双脉冲易化及抑制、增强和抑制过程中的短期和长期可塑性等。创新性的提出了器件的阻变机理:反离子和两种带相反电荷的聚电解质链可以根据施加的电压（脉冲）相互移入和移出,导致双层聚电解质界面及其电极界面处的内建电势发生变化,从而实现RS行为和各种突触功能,这一发现可能会加速有机阻变存储器技术的有效运用。