磁振子晶体的概念由光子晶体、声子晶体引申而来，是磁性材料的超晶格结构，由二种（或以上）磁性材料在空间周期排列构成．国内外已有初步的理论和实验研究工作均表明，磁振子晶体会对铁磁复合材料里的自旋波进行操纵，在一定的条件下会有空白频谱即自旋波带隙形成，处于带隙频率范围内的自旋波模式是不容许在磁振子晶体复合材料中传播的．利用自旋波带隙特性的可裁剪性，通过人为的结构或参数设计，可以关闭或打开一定频率的带隙．具有自旋波带隙的磁振子晶体在微波领域像微波滤波器、开关、电流控制延迟线等器件的制作材料领域内有潜在的应用价值．所以，带隙的优化和调控变成了当今纳米器件领域的研究热点．本课题组通过调节散射体的形状、排列方式、填充率等因素以及围绕应用设计恰当的缺陷结构，系统地研究了布拉格机制下的磁振子晶体系统中带隙结构优化问题和自旋波缺陷态的性质．基于局域共振思想的启发，本文中首次构造了二维三组元的磁振子晶体．三组元磁振子也是磁振子晶体的一种，是由散射体、包覆层、基底三种组元材料共同复合而成的．通过对其带结构及磁化强度场分布的计算研究，发现三组元磁振子晶体的带结构有独特的优势所在．经过计算，二维三组元的磁振子晶体有低频的带隙出现，可实现低频自旋波的可控操作．且通过对带结构和磁振子态密度分布图的计算，发现态密度的分布与带隙位置非常吻合．接着研究了三组元磁振子晶体带隙随体积填充率和半径比的变化行为，发现可以通过调节包覆层的厚度和被包覆圆柱填充率来优化自旋波带隙．