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透明导电氧化薄膜(TCO)是一种重要的光电材料,它具有高导电性且在可见光区具有光学透明性,在光电产业中有着非常广泛的应用。在众多TCO材料中, Sn:In_2O_3 (ITO)薄膜的应用领域最广、工业产量最大,而Nb:TiO_2 (NTO)薄膜则是一种近年来新发现的TCO薄膜。但是,之前对于ITO和NTO薄膜的研究主要集中在制备工艺对薄膜光电性能的影响上,缺乏对薄膜基础物性的分析。因此,我们采用了射频磁控溅射法制备了一系列溅射条件不同的ITO与NTO薄膜,并对它们的结构特性和电输运性质进行探讨,主要