随着科技的进步,电子材料尤为引人注目,大大推动了现代科学的发展。半导体材料作为电子材料的代表,它的问世与发展不断的促进人类在各个领域的全面发展,给人们的日常生活带来了很大的便利。半导体的种类繁多,由三元化合物宽带隙半导体晶体A^ⅡB₂^ⅢC₄^Ⅵ,由于其具有较宽波段可以透光、发光方面的性能非常好、光学强度还很高和感光的性能比较好,在电光学器件、光电子器件、太阳能电池及非线性光学设备等领域都有着广泛的使用从而引起了人们的普遍关注。本篇文章采取了以DFT为基础的第一性原理方法对三元半导体CdM₂X₄（M=Ga,Al X=S,Se）进行系统的对比研究。讨论不同晶体的晶格结构、能带、态密度及部分光学性质的变化趋向,并预测了晶体光学性质的各向异性,希望为此类材料在实际中应用提供一些理论性的依照。研究结果显示三元半导体CdM₂X₄（M=Ga,Al X=S,Se）四种材料的性质比较类似,都具有缺陷黄铜矿型构造,为直接带隙。四种三元材料的带隙值随着元素X由硫（S）到硒（Se）键能不断减小而逐渐减小,从硫（S）到硒（Se）共价特性不断减弱使材料体变模量变小,而晶格常数及折射率都在变大,同时折射率的波峰有红移现象。光学性质在能量为4 eV¹0 eV的范围内表现为非常突出的各向异性,在能量低于4eV的和高于10eV的区域则不是很明显。CdM₂X₄（M=Ga,Al X=S,Se）晶体在红外区域具有良好的透光性。我们还发现,CdM₂X₄（M=Ga,Al X=S,Se）晶体的最强反射峰和吸收峰均处于紫外区域,所以他们可被用于制作紫外光屏蔽器或者紫外探测装置。