寻找ITO透明导电薄膜替代品是当下的一个热点,铜纳米线低成本、低雾度、高长径比的优点使其成为理想的ITO替代材料之一。铜纳米线易氧化问题是制约铜纳米线商业应用的主要障碍,目前没有既经济又有效的保护方法。本课题提出在铜纳米线表面镀覆一层锡制备Cu@Sn核壳结构纳米线的方案,旨在提高其抗氧化性又不过度影响其光电性能。本论文基于置换反应原理制备出了光电性能良好且具有一定抗氧化性的Cu@Sn纳米线透明导电薄膜。采用油胺法合成铜纳米线,研究了反应物浓度、反应时间、反应温度对铜纳米线长径比、微观形貌等的影响。简化并优化了合成工艺,制备出直径30~70 nm、长度>40μm的高长径比铜纳米线,采用高低速配合离心的方法有效地去除了大量铜纳米线颗粒。尝试了电镀法、化学还原法、液相置换镀锡、浸镀法等镀锡方法制备Cu@Sn纳米线。电镀法采用碱性镀锡液在铜纳米线薄膜上电镀锡;化学还原法采用液相还原亚锡离子沉积到铜纳米线上;液相置换镀锡通过硫脲降低铜电极电位至锡电极电位以下,使锡直接置换铜并镀覆到铜纳米线表面制备Cu@Sn纳米线,研究了反应介质、硫脲浓度、氯化亚锡浓度、温度、时间等因素对铜纳米线镀锡效果的影响。浸镀法先制备铜纳米线透明导电薄膜,然后进行置换镀锡,研究了硫脲浓度、氯化亚锡浓度对Cu@Sn纳米线的影响,并测试了Cu@Sn纳米线透明导电薄膜的光电性能和抗氧化性。实验表明,置换镀锡能够获得形貌良好的Cu@Sn纳米线。通过调节不同铜锡添加量能够获得不同镀锡量的Cu@Sn纳米线。浸镀法能够获得光电性能良好的Cu@Sn纳米线透明导电薄膜,在高温高湿加速氧化条件下,24 h内方阻变化率不超过10倍。工艺经济简单,在一定程度上实现解决了铜纳米线的氧化性问题。