硫镓银（AgGaS₂）晶体是典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ₂族化合物半导体，属黄铜矿结构(点群D_2d-42m)。其红外透波范围宽（0.45-13μm），具有适宜的双折射率和大的非线性系数，可制成倍频、差频和光参量振荡器件，在1.8-11μm范围内可提供多种频率的激光光源。AgGaS₂晶体是一种优质的红外非线性光学晶体材料，具有广阔的应用前景。 本论文用银（Ag）、镓（Ga）、硫（S）三种高纯单质元素，采用一种新的合成工艺路线——二温区气相输运温度振荡法，从低温区以热对流的方式输运硫蒸汽到高温区与银和镓反应生成AgGaS₂，降低了合成安瓿爆炸几率；并在熔点附近快速温度振荡从而提高多晶质量。经X射线衍射分析，合成结果为高纯、单相、致密的AgGaS₂多晶。晶体生长实验中，我们利用上下温度梯度可调的二温区管式生长炉，1／2000减速比的旋转下降系统，电气控制系统和密集适时测温系统等，在特殊形状的石英生长安瓿中，采用坩埚下降法（B-S法），以合成的AgGaS₂多晶原料进行晶体生长。在40℃／cm的温度梯度、10mm／day的生长速率条件下生长出直径15mm、长度30mm的晶体，X射线衍射分析表明是AgGaS₂单晶体。晶体吸收系数为0.74cm^-1，在2-10μm波段透过率为49％，晶体光学质量较好。 本论文是四川省应用基础研究项目资助的研究课题中的部分工作，文中提出的工艺路线及结论对该课题的进一步深入具有一定的参考和实用价值。