光导开关是一种新型的全固态开关器件,光导半导体被激光脉冲激励从而实现阻抗转换,它具有抖动小、响应速度快、重复频率高、光电隔离、结构紧凑、容易集成等诸多优点,使之在脉冲功率技术、太赫兹技术和超高速电子学等领域具有广泛的应用前景。本文对基于激光二极管触发的GaAs光导开关的导通特性进行研究并针对在低光能、低偏置电压触发条件下的光导开关导通过程进行了理论分析,提出了GaAs光导开关的类线性模型,为非线性模式的实验研究提供一定的参考。论文首先对GaAs光导开关的一些材料特性以及工作特性进行介绍,并分析了当光导开关工作于大偏置电压下时其内部载流子的变化过程。在此基础上,对激光二极管触发的光导开关导通特性进行研究,结合已有的理论模型和导通特性,通过理论分析对理论模型进行一定的修正,修正过的模型可以对实验现象进行很好的解释。实验结果表明,偏置电压和导通电流越大,开关转换效率越高,并且最佳触发位置位于光导开关的阴极。除此之外,介绍了当采用传输线为储能元件时,由于传输线容量的限制导致非线性模式下的光导开关很难观察到锁定效应,但是传输线的传输特性可以使不可关断的非线性导通的光导开关变得可关断。对低偏置电压、低触发光能触发条件下的光导开关进行研究,首次提出了类线性模型,并设计实验证明了该理论模型的准确性。分析了类线性输出对非线性输出特性的影响,实验结果表明非线性模式下的类线性输出是影响开关导通延迟和抖动的主要原因。结合理论分析,提出了缩短导通延迟、降低开关抖动的可行触发方案。进一步,结合类线性理论模型和实验结果,提出了计算在特定电压下开关内电离率的方法。实验结果表明,实验中采用的GaAs光导开关在10κV偏置电压下的电离率为0.214 cm-1。