低维半导体结构本身有很多优点,在低维结构中,半导体纳米线(或者量子线)由于具有众多独特的优点而在新一代电子、光电器件以及系统中有着广阔的应用前景。利用“自下而上”的外延生长方法所制备的纳米线具有晶体质量高、生长方向易于控制、易于形成有序的自支撑纳米线阵列、易于集成等优点。现阶段纳米线的生长技术已趋于成熟,对于纳米线的研究现已经转向对纳米线在器件中的应用。目前人们已经利用纳米线实现了多种功能器件包括纳米激光器、纳米线光电探测器、纳米线传感器、纳米线发光二极管、纳米线太阳能电池等。本论文围绕着Ⅲ-Ⅴ族InAs纳米线探测器的制备与特性进行了大量研究。主要研究内容及成果如下:1、综述了半导体纳米线外延生长技术、表征手段及其在光电探测器方面的应用。2、利用MOCVD技术生长了 InAs纳米线,并对InAs纳米线的形貌和晶体结构进行了表征。结果表明,InAs纳米线呈锥状结构,纳米线主体为纤锌矿(WZ)结构,堆垛层错密度很大。3、对单根纳米线探测器的制备工艺进行了摸索,具体包括光刻、等离子去胶、腐蚀、钝化、镀金属电极等。在此基础上,制备出了单根InAs纳米线探测器。4、对单根InAs纳米线探测器的I-V特性进行了测试。无光照时,在低偏置电压下,电流随着电压的增加缓慢增加,当电压超过某一特定值时,随着电压的增加,电流显著增加。在较低光照强度下,与无光照时相比,电流不但没有增加反而降低,并且随着光照强度增加,电流逐渐减小。当光照强度达到一定值时,电流又开始逐渐增大。并对实验现象给出了合理解释。