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银电极氧化对双极性电阻转变影响及WO3局域电阻转变研究

被引量 : 0次 | 上传用户：liteary

【摘 要】

：

近年来基于电脉冲触发诱导电阻转变现象(EPIR)的电阻式随机存储器(RRAM)由于其结构简单、存储密度高、耗能低、与半导体CMOS工艺兼容性好等优势,受到了物理学、材料学、半导体器件等专业科研人员的重视。本论文中我们研究了银电极的氧化物对器件双极性电阻转变性能的影响,我们制备了三种不同的器件:Ag/WO_(3-x)/Pt器件、Ag/AgO_x/Pt器件和Ag/AgO_x/WO_（3-x)/Pt器件

【作 者】

：

董春颖 

【机 构】

：

河北师范大学

【发表日期】

：

2011年03期

【关键词】

：

RRAM EPIR 银氧化物 双极性电阻转变 导电原子力显微镜技术 微区不均匀 

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近年来基于电脉冲触发诱导电阻转变现象(EPIR)的电阻式随机存储器(RRAM)由于其结构简单、存储密度高、耗能低、与半导体CMOS工艺兼容性好等优势,受到了物理学、材料学、半导体器件等专业科研人员的重视。本论文中我们研究了银电极的氧化物对器件双极性电阻转变性能的影响,我们制备了三种不同的器件:Ag/WO_(3-x)/Pt器件、Ag/AgO_x/Pt器件和Ag/AgO_x/WO_（3-x)/Pt器件,其中银的氧化物薄膜AgO_x是在氧气氛下利用PLD技术沉积而成,利用X射线光电子谱分析显示氧气氛下制备

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