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氧化物薄膜电阻开关存储器(ReRAM)具有快速的读/写速度(~10 ns)、优异的耐受性(>106次读/写次数)和超长的存储稳定性(~10年)等优点,而且结构简单,功耗低(~几十pJ),并兼容当前硅基半导体集成工艺,是现今最具应用潜力的新一代非易失性存储器之一。基于NiOx薄膜的ReRAM是迄今研究最深入的材料体系之一,然而,以往研究者多关注NiOx多晶薄膜的电阻开关特性,对Ni Ox外延薄膜,特别是金属基底上外延生长NiOx薄膜的研究相对甚少。此外,随着人类活动范围的延伸和现代科技的飞速发展,极端