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随着信息时代的到来，超大容量信息传输、超快速信息处理成为光纤通讯的主要发展趋势，这对光纤传输网络提出了越来越高的要求，光纤中应用的通讯波段也越来越宽。然而传统稀土离子掺杂的方法，因为受到稀土离子4f-4f窄带禁阶跃迁的限制，远远不能满足需求，铋掺杂材料的荧光发射波段覆盖了1000nm-1700nm范围，恰好弥补了之前的不足。 铋铒共掺光纤是一种具有超宽带发射的新型有源光纤。波长范围可以覆盖O到L波段，有望成为重要的光纤增益介质，光纤放大器和光纤激光器。但是铋铒共掺光纤容易受周围环境的影响，高温会导致其发光性质发生改变。本文重点开展其在不同退火温度处理下铋铒共掺光纤光谱特性。希望为改善该光纤的发光机理奠定基础。 首先介绍了稀土和非稀土掺杂光纤，从而引出铋铒共掺光纤，并且解释了铋掺杂材料的发光特性。 其次对铋铒共掺光纤退火处理，分析退火处理对铋铒共掺光纤在室温(RT)至1100℃范围内的光谱特性，当使用830nm泵浦时，光纤分别出现在1100，1420和1530nm波长处的三个不同的峰组成的宽的近红外(NIR)发射带，它们源自不同的发光中心，即A1，Si相关的铋活性中心(BACs)和Er3+。BACs和Er3+的发射强度随着退火处理温度的不同而变化，因此确定了RT～300℃，300～800℃和800～1100℃三个温度区域。并且发现了铋铒共掺光纤在低温区具有温度传感特性。 最后通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)测量和EDS检测，发现了光纤在高温环境中出现纳米级的团簇以及析出不同种类的晶体，解释了铋铒共掺光纤在高温环境下的光谱特性。