1920年Valasek发现了罗息盐(酒石酸钾钠,NaKC4H4O6·4H2O)中的铁电效应,这一发现揭开了研究铁电材料的序幕,也标志着人们对铁电材料研究的开始。1935年Busch发现了磷酸二氢钾KH2PO4(KDP),其相对介电常数高达30,远远高于当时的其它材料。1940年之后,以钛酸钡BaTiO3为代表的具有钙钛矿结构的铁电材料陆续被发现,标志着铁电材料发展进入了新的时期。铁电材料不但在光伏效应、存储仪器、电光调制、压电、光声调制等应用中展现出了非凡的前景,其铁电性能和应用极限也不断被刷新。而近几十年来,传统的陶瓷铁电体如锆钛酸铅Pb(ZrTi)O3(PZT)、钛酸铋钠Bi0.5Na0.5TiO3(BNT)、钛酸铋Bi4Ti3O12(BTO)所存在的能隙过大、导电性不佳、成膜成本过高等瓶颈也逐渐被人们所重视,而这时分子基铁电材料的崛起则无疑带给了人们新的希望,在这众多的分子基铁电体中,人们不但对铁电物理机制进行了细致深入的研究,同时也对分子基铁电材料的未来应用前景进行了更加广阔的探索。相较于传统金属氧化物铁电体,分子基铁电材料具有链状、主客体包合或离子型等多种新颖的结构,同时其铁电性和半导体特性相对独立,所以更加容易根据不同应用需求对能隙、导电性、介电常数等进行大范围调控;在制备手段上,传统金属氧化物多运用高温烧结、溅射、脉冲激光沉积等物理方法,而分子基铁电体主要采用溶液法或水热法等化学方法,具有成本低、周期短并且容易实现产业化大规模生产等优点。同时,这种分子基铁电体凭借着其优异的成膜性和相对低廉的制作成本可以广泛的应用于薄膜器件的制备中。2004年石墨烯的发现打开了二维材料的大门,二维材料以其独特的性质得到广泛关注,相关制备和应用的研究近年来也呈现上升趋势。如今已发现的二维材料主要有以下几类:1、以石墨烯和h-BN为代表的六元环蜂窝状的二维单原子层晶体。2、以过渡金属硫化合物(MoS2、WS2)为代表的三原子层晶体,其中金属原子层被夹在相邻的硫原子层之间。3、金属氧化物(MnO2、WoO3)以及双金属氢氧物(Mg6Al2(OH)16)。同时一些其他二维层状材料也被相继报道,例如黑磷(Phosphorene)、过渡金属碳/氮化合物(MXenes)等。这些二维材料的优异性能使其在能源储存、光电、催化等方面展现出巨大的应用潜能。与此同时,在二维材料飞速发展的今天,铁电材料和二维材料的杂化联用已是大势所趋。将铁电材料与二维材料相结合,在逻辑电子器件、光电器件等不同应用中具有极高的价值和潜力。本文以研究分子铁电体和二维材料的杂化应用为目的,制作了一系列分子铁电与二维材料的杂化结构及器件,并对它们进行表征与测量研究。论文包括三个部分:第一部分:分子铁电薄膜的制备与表征。第二部分:二维材料的制备与表征。第三部分:分子铁电与二维材料杂化器件的初步探索。