热屏对CZ硅单晶性能影响研究及其热场数值模拟

来源 :北京有色金属研究总院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mainonewf
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该文采用在Kayex150型单晶炉内加热屏的方法,对炉内的热场加以改进,改善了CZ硅单晶的生长环境,并对其拉晶工艺进行了研究,改善了硅单晶的性能.通过对晶体生长时的表面温度的测量,并以之作为边界条件,采用有限元法,计算了晶体内部的温度分布.
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