EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦写只读存储器,是一种掉电后数据不丢失、可在线重复擦写编程的存储器,通常写入的数据常温条件下可以保存数十年,其擦写编程周期可达百万次以上。作为理想的小容量不易失存储器(NVM, Nonvolatile Memory),广泛应用于消费类电子、工业类电子等产品领域。本文以复旦微电子股份有限公司与新加坡特许半导体联合开发的0.13μm EEPROM工艺开发及器件验证项目为中心,结合不易失存储器理论及自开发测试验证平台介绍,分析验证工艺、器件特性。本文的主要工作包括:1)NVM器件基本理论研究。首先,对NVM涉及相关半导体物理机理进行分析和研究;其次,对常用三类NVM类型(EPROM、EEPROM、Flash)及各类型存储器典型单元特征结构进行分析和研究。2)0.13μm EEPROM单元、阵列及EEPROM工艺介绍。对本项目EEPROM目标存储单元和存储阵列及开发工艺进行简要介绍。3)自开发测试验证平台介绍。测试验证平台主要包含NB0401测试系统,安捷伦电源、安捷伦万用表、精准温控气流箱、自开发PCB测试板,单片机测试程序及测试脚本,通过对测试流程的分析加以描述。4)工艺器件验证、特性分析。器件特性主要包含EEPROM单元的阈值电压VT与擦、写编程高压VPP、编程时间TEW关系,Endurance特性退化,数据保持能力和温度特性。目前0.13μm EEPROM工艺已经成功开发完成,器件结构已成熟应用于公司的串行EEPROM产品及智能卡产品。