TiO压敏-电容双功能陶瓷制备及掺杂研究

来源 :华南理工大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qaz_wsx_123
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
TiO2压敏陶瓷具有较好的非线性V-I特性,压敏电压V1mA较低,且介电常数大等优点,可以作为压敏-电容双功能元件,用于电路保护和消除噪声干扰。随着电子系统小型化、低压化、多功能化,TiO2压敏电阻的开发和性能的改进成为研究热点。本论文实验以金红石TiO2为主晶相,分别添加不同的施主、受主掺杂剂,采用传统电子陶瓷工艺制备了具有压敏效应的TiO2陶瓷材料,并研究添加剂的作用。
   本文首先研究了分别添加Nb2O5和Sb2O3作为施主掺杂对TiO2压敏陶瓷微观结构、压敏性能和介电性能的影响。研究发现,适量的Nb2O5和Sb2O3施主掺杂都能促进TiO2压敏陶瓷的烧结和TiO2晶粒的半导化。样品的压敏电压V1mA随着Nb2O5或Sb2O3添加量的增加而降低,分别添加2.5wt%的Nb2O5和1.0wt%的Sb2O3时,样品的压敏电压V1mA分别约为15V和36V。非线性系数的变化与压敏电压呈现相同的变化规律。从扫描电镜图片看,添加Nb2O5的样品晶粒尺寸随Nb含量的增加先增大后减小;而添加Sb2O3则抑制了晶粒的长大。适量的施主掺杂有利于提高材料的介电常数,这主要是因为晶粒实现了良好的半导化。综合对比两种不同施主掺杂样品的电学性能,结果发现Nb2O5施主掺杂的效果比Sb2O5好。
   在施主掺杂的基础上以CaCO3形式引入Ca2+进行受主掺杂研究。实验结果表明:Ca2+受主掺杂促进了TiO2陶瓷的烧结,却抑制了TiO2晶粒的长大,原因可能是Ca2+在晶界的偏析产生了第二相。适量的CaCO3掺杂有利于晶界势垒的建立,压敏电压随掺杂量的增加而增大;当Ca2+添加量小于0.8wt%时,非线性系数呈增长趋势;Ca2+添加量大于0.8wt%时,非线性系数减小。样品的介电常数随CaCO3掺杂量先增加后减小,在添加量为0.8wt%时,介电常数高达235000,然后随Ca含量增加而有所下降。
   研究了MnO2的引入对TiO2压敏陶瓷的微观结构、压敏性能和介电性能的影响。结果表明:少量MnO2的引入对陶瓷微观形貌影响不大,但却使得压敏电压明显升高,少量的MnO2有助于提高样品非线性系数;但过量的MnO2会使样品半导化变差,并且非线性系数有所下降,介电常数明显降低:未添加MnO2时,样品介电常数高达117000;在MnO2含量为0.3wt%时,介电常数已降低至7961。
   研究了SiO2的引入对TiO2压敏陶瓷的微观结构、压敏性能和介电性能的影响;并且研究了烧结温度的变化对含SiO2样品性能的影响。实验结果表明,少量的SiO2对于TiO2压敏陶瓷的致密烧结有良好的促进作用,添加SiO2为0.6wt%时,样品相对密度达到最高为96.39%; SiO2添加量较多时,相对密度却有所下降;样品压敏电压随SiO2含量的增加先是略有下降而后增加,非线性系数变化也是如此。由SEM和XRD分析,SiO2的加入可能是因为产生过多的第二相导致样品压敏电压上升;烧结温度升高时,样品压敏性能和介电性能都有所改善。
   本论文实验所制备的TiO2压敏陶瓷压敏电压为15~140V,非线性系数3.66~7.2,介电常数可达2.35×105,适用于压敏-电容双功能元件。但仍需进一步改善性能,如进一步降低压敏电压,提高非线性系数,降低损耗等。
其他文献
期刊
期刊
期刊
期刊
期刊
期刊
期刊
期刊
通过掺杂Co2O3,Cr2O3, Nb2O5,MnO和稀土氧化物,我们制备了致密度高且非线性良好的SnO2基压敏电阻元件。常用的ZnO压敏电阻的压敏电压梯度约200V/mm,由于SnO2基压敏电阻的压敏电压梯度较高,因此其更适合用于高压领域。本篇论文将在前人研究的基础上,通过氧化物掺杂和适当的工艺调整来改善SnO2基压敏电阻元件的小电流特性和8/20μs脉冲电流耐受特性。  目前,压敏电阻导电机理
学位
铋层结构的铁电材料具有高居里温度、低损耗因子、大各向异性、高绝缘强度和电阻率、高击穿强度、低老化率等特点,是一种极具潜力的高温无铅压电铁电材料。但铋系材料特殊的晶体结构使得该类材料难以极化,压电活性低:另外高温烧结过程中存在的铋挥发以及片状晶粒的随机排列,使得该类陶瓷难以获得较高的致密度和较好的性能。对该系统材料进行离子的掺杂和取代以及对显微结构进行调控和优化,是改善Bi层状钙钛矿结构材料结构及性
学位