本文通过第一性原理计算研究了含有O空位的CoTiO系统的电子结构和磁性质。纯净的CoO是一种反铁磁性半导体,而Co原子在理论上拥有较大的磁矩,因此,我们在之前的研究中尝试通过掺杂Ti来打破CoO的反铁磁序列,从而获得新型的稀磁半导体。我们的理论研究表明,9-11号位Ti掺杂的CoO则显半金属性,其导电性大大增强,且系统总体具有磁矩,是一种有潜力的稀磁半导体。由于CoTiO薄膜生长的过程中会出现O空位,因此我们进一步研究了O空位对系统的影响。在对含有单个O空位的CoTOi系统的研究中我们发现,Ti原子附近的O空位通过电子转移对系统性质产生了较大的影响。当O空位出现在6号位和9号位时,Ti原子的磁矩变得非常小,同时系统变成了一个磁性半导体。当O空位出现在1号位时,Ti原子的磁矩略小于不含缺陷的CoTiO系统,但系统总体显金属性,其导电性大大增强。当O空位出现在2号位时,系统保持了其半金属特性。同时在对距离Ti原子较远的O空位的研究中发现,O空位出现在5号位时,系统显金属性,O空位出现在13号位和14号位时,系统保持了半金属性。而在对含有两个O空位的CoTiO系统的研究中我们发现,O空位对系统的电子结构和磁性质产生了巨大的影响。当O空位出现在1-3号位的时候,系统保持了半金属特性。当O空位出现在6-8号位时,虽然系统整体显半金属性,但通过改变外界条件,能较容易的达成100%的自旋极化。而含有9-11号O空位的系统则是一种典型的自旋无带隙半导体。