与传统开关比较,光电导开关(photoconductive semiconductor switch,简称:PCSS)具有开关速度快、寄生电感电容小、结构简单,尤其是开关耐高压、功率存储容量大等特性,使其在脉冲功率技术等领域的应用具有极大的优势。由III-V族半导体化合物(如:GaAs、InP等)研制的半导体光电导开关,由于高倍增模式下出现的各种现象,使其应用领域更为开阔。然而目前为止,还没有一个完整的理论对开关的典型现象做出全面的解释。本论文通过对空间电荷波(Space Charge Wave,简称:SCW)效应的深入研究,并且结合光电导开关的典型实验现象,对光电导开关中存在的电导变化规律进行了理论研究。论文的主要研究内容与结论如下:1.论文用波长532nm和1064nm的激光器作为触发光源,来触发横向半绝缘砷化镓光电导开关,对线性模式和非线性模式下,半绝缘GaAs光电导开关电流振荡现象进行了实验研究。在线性模式下,当电压较低(但必须大于某一阈值),触发光能较大时,电脉冲无振荡现象,然而,当触发光能较小时,电脉冲在一个幅值较大的电脉冲过后,其后还跟随着几个幅值较小的减幅振荡;在非线性模式下,电脉冲均出现不同程度的减幅振荡。2.通过对空间电荷波效应的理论研究,再同开关的典型实验现象结合,对光电导开关中电导率随渡越角变化规律进行了理论研究,获得了器件电导率随样品渡越角之间的解析关系式,以及在不同增益下表达式的拟合函数图线。分析了不同增益对电导率初始峰值的影响,增益越大,其初始峰值越大。最后分析了渡越角减小的原因。3基于空间电荷波效应,结合光电导开关的等效电路,对半绝缘GaAs光电导开关中的电流减幅振荡进行了理论解释,指出电流振荡是由于空间电荷波的生长与衰减造成的,电流振荡幅值的衰减是由于器件自激振荡频率引起的渡越角减小导致的。