集成于无源RFID标签芯片的CMOS温度传感器设计

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集成了传感器的RFID标签芯片是近年来RFID领域研究和发展的热点,其利用RFID技术的非接触方式获取目标对象的温度、湿度、位置和相关环境参数等,使得传感器技术与RFID技术的结合变的非常热门和得到广泛的应用。本文介绍集成于无源RFID标签芯片的CMOS温度传感器设计,该CMOS温度传感器集成于13.56MHz的高频无源RFID标签芯片上。在设计集成于无源RFID标签芯片的CMOS温度传感器时,主要考虑功耗和精度两个方面的问题。本文重点研究了CMOS工艺中寄生双极型晶体管(BJT)的温度特性,比较了标准数字CMOS工艺中两种不同的寄生双极型晶体管(横向寄生晶体管和纵向衬底寄生晶体管)的特性,得出纵向衬底寄生晶体管更适合用来设计高精度的温度传感器。研究了斩波技术的基本原理以及其运用于运放设计中的优势,利用斩波技术设计了一个低温度系数的带隙基准源,有效的减少了运放的失调和低频噪声,大大的提高了带隙基准的输出信号精度,同时加入了VBE线性化来补偿高阶非线性项,得到了一个低温度系数、高精度的基准信号。还研究了利用寄生BJT来感应温度的原理及电路设计,利用斩波运放设计出了一个高线性度的PTAT(与绝对温度成正比)电压产生电路,并通过动态元件匹配技术来精确匹配两条支流电流比值,提高了感温电路的测温精度与线性度。采用Tower0.18um2P6M标准CMOS逻辑工艺,基于Cadence平台对电路进行设计与仿真,仿真结果表明带隙基准源在-20℃-100℃温度范围内,输出电压只变化了0.35mv,温度系数为4.2ppm/℃。测温电路灵敏度约为3.1mv/℃,具有很好的线性度与测温性能。
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