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论文首先使用滴涂法制备出多壁碳纳米管修饰玻碳电极(MWNTs-GCE)；在此基础上,借助“种子媒介纳米金生长法”,将纳米金粒子与多壁碳纳米管掺杂构建新型纳米复合材料修饰电极(MWNTs-GNP-ITO);并在弱稳态磁场环境中分别制备磁化多壁碳纳米管修饰电极(M-MWNTs-GCE)和磁化纳米金修饰电极(M-GNP-ITO)。所制备的电极均通过透射电子显微镜(TEM)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、电化学分析等测试技术,对其表面的形貌、结构及电化学性能开展系统研究。通过条件试验试验探索,将MWNTs-GCE成功用于苯二酚三种异构体的同时测定；并发现MWNTs-GNP-ITO对氯酚单种异构体的检测表现出良好的电催化活性；弱稳态磁场对多壁碳纳米管和纳米金及其修饰电极表现出不同的影响。论文的主要研究结果如下：1.采用滴涂法制备MWNTs-GCE,用透射电镜和场发射扫描电镜对多壁碳纳米管在分散剂中的存在形态、修饰电极的表面形貌进行表征。借助循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)研究苯二酚三种异构体在MWNTs-GCE上的电化学行为,据此建立一种能够同时测定苯二酚三种异构体的电化学方法。结果表明：该修饰电极对于苯二酚的三种同分异构体表现出了良好的电催化性能和高选择性。在最佳试验条件下,实现了苯二酚两种异构体(浓度均为100.0μM)共存的情况下,对第三种异构体在20.0μM-140.0μM浓度范围内的快速电化学测定。对苯二酚(HQ)氧化峰电流与浓度的线性关系为：Ipa=0.0452c+6.8343(μA,r=0.9970),邻苯二酚(CC)的线性关系为：Ipa=0.0543c+3.3886(μA,r=0.9966),间苯二酚(RS)的线性关系为：Ipa=0.0218c+1.8371(μA,r=0.9959),当信噪比为3时,HQ、CC和RS的检测限分别为1.0μM、1.3p.M和4.7μM。对电极的抗干扰、使用寿命的测试显示MWNTs-GCE具有良好的抗干扰性、稳定性和重现性。2.分别采用“种子媒介法纳米金生长法”和滴涂法制备纳米金修饰氧化锡铟电极(GNP-ITO)和多壁碳纳米管修饰氧化锡铟电极(MWNTs-ITO),并在GNP-ITO基础上,滴涂多壁碳纳米管,制备MWNTs-GNP-ITO.用场发射扫描电镜和电化学分析方法对修饰电极的形貌和电化学性能进行表征。借助CV研究了氯酚三种异构体在修饰电极表面的电化学行为。结果表明：对于对氯苯酚和间氯苯酚,与其它三种电极相比,MWNTs-GNP-ITO表现出了良好的催化性能,氧化峰电流明显高于其它三种电极；但是对于对邻氯苯酚的电化学氧化行为,与MWNTs-ITO相比,MWNTs-GNP-ITO并没有表现出明显的优势。因氯酚各异构体的氧化峰电位接近,修饰电极未能实现氯酚三种异构体的同时测定。3.在0.3T弱稳态磁场中,借助滴涂法制备M-MWNTs-GCE,运用“种子媒介纳米金生长法”制备M-GNP-ITO;分别用透射电镜、场发射扫描电极及其电化学方法对修饰电极的形貌和电化学性能进行表征；对比磁场作用下修饰电极的形貌、结构及其电化学性能的变化,对弱稳态磁场对纳米材料的生长过程、修饰电极电化学性能的影响进行初步探索研究。结果表明：弱稳态磁场基本上不改变多壁碳纳米管的形态和结构：HQ、尿酸(UA)和扑热息痛(PA)在M-MWNTs-GCE上的电化学响应与其在MWNTs-GCE的测定结果几乎相同,说明弱稳态磁场对多壁碳纳米管修饰电极的电化学性能也未产生影响；然而对于纳米金的制备过程,弱稳态磁场促进了纳米金粒子的粒径生长,部分纳米金粒子出现锐化现象。M-GNP-ITO对HQ、UA和PA的电化学反应的催化作用优于GNP-ITO。弱稳态磁场对纳米金的生长过程产生影响,从而改变修饰电极的电化学性能,而对多壁碳纳米管并无显著作用。