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采用化学水浴法在透明导电玻璃上沉积厚度不同的CdS薄膜,分别以制备好的CdS薄膜为衬底利用真空蒸发法制备纯CdTe薄膜及Sb掺杂CdTe薄膜,在进行T=400℃, t=30min的热处理过程中引入不同量的CdCl2对薄膜进行氯化处理,薄膜利用NP溶液进行腐蚀。采用双源共蒸法制备纯ZnTe和Y掺杂的ZnTe薄膜,同时制备纯CdTe及Sb掺杂CdTe薄膜太阳电池。利用X射线衍射、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜等测试手段分别对CdS、纯CdTe及掺Sb的CdTe薄膜的晶体结构、表