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随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料与技术面临巨大挑战。原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)技术可以对膜厚进行精确控制,在深亚微米集成电路和纳米结构的制备上显示出巨大的应用前景。原子层沉积使用的反应前驱体需要满足特定的要求,目前ALD的前驱体还是相当缺乏的,因此发展适合微电子工业应用的金属有机源前驱体及其相关材料的生长工艺是当前ALD技术发展的一个重要方向。随着金属-氧化物-半导体场效应晶体管器件尺寸的按比例