磁控溅射是一种物理气相沉积技术，已被广泛地应用于各种薄膜的制备。它主要包括溅出粒子(原子或分子)的产生和输运以及输运到基片的粒子在基片上的扩散、聚集、生长成膜两大微观过程。其中，产生溅出粒子的靶材溅射过程是关键性的部分。在靶材溅射过程中，溅射产额与靶材的刻蚀一直是人们感兴趣的研究内容。人们主要通过实验方法来研究薄膜的性能和靶材的刻蚀，因此周期长、成本高。计算机模拟作为一种新的研究手段，对实验和理论起到了重要的补充作用，因此对薄膜性能和靶材刻蚀的模拟研究越来越为人们重视。本论文主要有两方面的内容：(1)运用蒙特卡罗方法(MC)模拟磁控溅射中的靶材溅射过程，按照己有的理论模型，跟踪粒子(入射离子、溅射原子)的过程状态(能量、方向、位置等)；(2)建立靶材表面的电磁场分布与靶材刻蚀形貌之间的对应关系的模型，通过外加磁环来改变靶材表面的电磁场分布，提高靶材的利用率。本论文的主要结果有：(1)运用模拟程序模拟了氩离子对镍靶的溅射过程，模拟结果与实验结果及规律相符，且溅出原子在靶面上能量和角度分布的结果为溅射成膜的进一步模拟计算奠定了基础；(2)得到最佳的磁环参数。