本研究基于高聚物相分离的现有理论及实际应用前景,分别由高聚物不相容共混体系和有条件相容的高临界共溶温度体系制备出高聚物功能性的形状记忆材料及功能性多孔材料。而且以理论为指导,研究了预定相结构的形成条件及规律,为进一步的实际应用与产品设计提供了科学性的依据。本研究主要分为三方面。(1)不相容高聚物共混制备形状记忆材料(SBS/PCL,SBS/PLA共混物)。现在的热致形状记忆材料主要集中在两大类,一个是具有结晶性链段或有显著玻璃化转变链段的化学交联网络体系,另一个是具有结晶性链段或有显著玻璃化转变链段的物理交联网络体系。这两个体系都有自己的优缺点,但它们共同的缺点是材料制备与表征的麻烦,以及虽然机理清楚,但是无法很好的从机理出发来指导制备过程最优化控制。比如在现在的机理只能给出什么样的硬段和软段的含量可以具有形状记忆性能,但是不能给出什么样的硬段和软段的含量具有最好的形状记忆性能。为了解决这些问题,我们提出了一种新颖的聚合物共混形状记忆材料的制备方法和机理。此共混物包含两组分不相容的聚合物,一组分是“弹性体聚合物”组分,另一组分是“可转变相聚合物”组分。在两相不相容的体系中,分相得到的两个相区分别提供形状记忆材料的“形状固定”和“形状回复”性能,从而使材料得到形状记忆性能。通过研究不同组分含量的共混物的不同微观结构对材料的形状记忆性能的影响规律提出了此类共混材料的形状记忆机理,并且此机理可以很好的指导材料制各过程的最优化控制。我们的研究选用SBS/PCL共混物和SBS/PLA共混物证明了这个新颖的制备方法的可行性,并且研究了它们的微观相形态,热学,力学,流变学和形状记忆性能。最后讨论了此类形状记忆材料的机理和最优化性能的控制。(2)热致相分离法制备聚乙烯接枝马来酸酐多孔低介电常数材料。低介电常数材料可以用在诸如集成电路,印刷电路板,通信装置保护涂层等领域。对于保护涂层来说,我们提出了用热致相分离法(也叫热致分相法)引入孔结构来降低材料介电常数的方法。我们通过引入微孔,材料在1MHz下的介电常数从本体材料的2.60最多降低到1.56,而介电损耗与本体材料差别很小。此方法理论成熟,操作简便,重现性好。通这我们的研究,还发现此方法可以通过热致分相法的理论分析来调节操作参数从而达到对最终材料的介电常数的控制的目的。研究发现分别建立聚合物浓度,降温速度与孔隙率之间的关系模型以及材料最终介电常数与孔隙率之间的关系模型可以联系热致分相的操作过程和最终的介电常数,从而通过这两个模型即可达到控制材料介电常数的目的。由于我们尚未发现有关热致分相制备低介电常数材料的相关报道,我们的研究也为此方法提供了一个新的应用领域。(3)三元热致相分离法制备聚醚酰亚胺耐高温多孔膜材料。耐高温多孔膜材料也是近年来研究热点之一。我们选用的是耐高温性能较好的非晶性的聚醚酰亚胺材料,并且为了使在高孔隙率下保持较好的力学强度,我们选用的致孔方法为热致相分离法。此热致分相体系为聚醚酰亚胺/二苯甲酮/二缩三乙二醇体系。经典的热致相分离法是二元的结晶聚合物体系,即使现有的三元体系也都通过某些方法简化为二元体系处理。而本文研究发现的这个体系不能简单的通过现有的简化方法处理为二元体系,因为研究发现在分相过程中二苯甲酮相会有很大一部分留在聚醚酰亚胺的富相中。由此造成此体系在相图及分相过程等方面与普通的二元或三元体系存在相同和不同之处。而本文的体系也是一种非晶聚合物体系,与经典的结晶聚合物体系也存在明显的不同点。本文从相图和分相过程两方面也比较了这些不同之处。由于我们也尚未发现热致分相法制备聚醚酰亚胺多孔膜材料的相关报道,我们的研究也为此类体系的热致分相研究提供了一般方法并且总结了一般规律。