氧化锌（ZnO）高压压敏电阻因具有高的压敏场强E_b（≥1kV/mm）和良好的非线性电流-电压（I-V）特性而被广泛地应用于军事及消费电子等各个领域,通过吸收浪涌电压来保护电路系统。目前,氧化锌高压压敏电阻常采用两步烧结方法制备。该方法中主料和添加剂全部使用纳米级粉料,存在纳米级添加剂不易获取和成本相对较高等问题。针对这些问题,本文研究主料以纳米ZnO（30nm）为原料,而添加剂以微米粉添加和溶液添加方式引入,并通过两步烧结方法来制备具有高压敏场强、高非线性系数和低漏电流值的高压压敏电阻。本文首先研究微米级粉料Bi₂O₃和Sb₂O₃的添加量以及第一步烧结温度T₁对ZnO压敏陶瓷的微观结构、相组成、烧结特性和压敏性能的影响。结果表明,微米级Bi₂O₃的添加对纳米ZnO的烧结具有显著的促进作用,微米级Sb₂O₃的添加则具有抑制ZnO晶粒生长的作用。优化配方确定为97.45mol%ZnO-0.80mol%MnO₂-1.00mol%Co₂O₃-0.50mol%Bi₂O₃-0.40mol%Sb₂O₃,起始原料除了ZnO为纳米粉体外,其它均为微米粉体。经T₁/T₂=850℃/750℃两步烧结5min/6h后,陶瓷平均晶粒尺寸为1.77μm,相对密度达95%,压敏性能良好:E_b=1047.6V/mm,非线性系数α=52.1,漏电流密度J_L=0.72μA/cm²。本文接着用Mn（NO₃）₂和Co（CH₃COO）₂水溶液添加取代MnO₂和Co₂O₃微米粉添加,研究溶液添加量以及T₁对压敏陶瓷相组成、烧结特性和压敏性能的影响。结果表明,Mn（NO₃）₂和Co（CH₃COO）₂溶液的引入,导致陶瓷中生成了CoMn₂O₄尖晶石结构的新相。随着Mn²⁺和Co²⁺添加量的增加,CoMn₂O₄相衍射峰增强。优化配方确定为97.45mol%ZnO-0.80mol%Mn（NO₃）₂-2.00mol%Co（CH₃COO）₂-0.50mol%Bi₂O₃-0.25mol%Sb₂O₃。经T₁/T₂=850℃/750℃两步烧结5min/6h后,陶瓷相对密度达92%,压敏性能良好:E_b=1282V/mm,α=57.2,J_L=1.2μA/cm²。当取代前、后Mn和Co摩尔数不变时,用Mn（NO₃）₂和Co（CH₃COO）₂取代MnO₂和Co₂O₃的陶瓷具有更高的压敏场强和非线性系数。