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ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙化合物半导体材料。室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，具备了室温下发射紫外光的必要条件，在紫外探测器、LED、LD等领域有着巨大的发展潜力；ZnO薄膜以其优良的压电性能、透明导电性能等使其在太阳能电池、压电器件、表面声波器件、气敏元件等诸多领域得到广泛应用。本文采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺在普通Na-Ca-Si玻璃基片上成功地制备出Al3+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶是以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，乙醇胺为稳定剂反应制得，用浸渍提拉法在基体上镀膜，经烘烤、预烧、退火，最后形成均匀、透明的多晶ZnO薄膜。采用L9（34）正交实验对制备工艺参数进行优化，通过分析得较优的制备工艺参数；摸索出一整套独特的基片清洗、干燥方法—洗涤剂清洗、红外灯烘干法。通过DTA分析，探讨了溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的化学机理。利用XRD、SEM以及UVS光谱仪等分析方法对薄膜进行了研究，结果显示，所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构，具有高C轴择优取向性；表面均匀、致密，薄膜材料由许多星状晶粒组成，晶粒尺寸大约为10-30nm左右；薄膜可见光透过率平均可达90%；对薄膜厚度以及电学性能进行了测定后发现：单次镀膜厚度约为75-240nm，Al3+离子掺杂型氧化锌薄膜的电阻率在3.015×102-3.96×103Ω·cm范围内；分别研究了掺杂浓度、提拉速度、预烧温度、退火温度等工艺参数对薄膜厚度和电阻率的影响。