近年来,π-共轭聚合物和齐聚物由于具有独特半导体特性、光电性质以及在电子器件的潜在应用而越来越引起人们广泛关注。并苯类不仅是一种导电高分子材料,同时也是一种性能良好的电致发光材料。在并苯系列中,并五苯(Pentacene)具有最高的电荷迁移率,是用于制备有机场效应晶体管的最有前途的材料之一。本论文对2,6-二噻吩基并苯齐聚物的能级结构与电子光谱性质关系进行理论研究,为新有机材料的设计提供新的理论基础和指导。应用密度泛函理论B3LYP方法在6-31G(d)基组水平上计算了系列2,6-二噻吩基并苯齐聚物(nDTA,n=0-5)。几何优化结果表明,键长改变主要发生在苯环靠近端基一侧,而噻吩环键长几乎没有变化。同时分析了噻吩取代基和并苯重复单元增加对体系前线轨道的影响,电子结构计算结果表明,随着并苯重复单元数目n的增加,HOMO能量增大,LUMO能量降低,导致HOMO-LUMO能隙EH-L逐渐减小;与并苯相比,噻吩取代对并苯体系中HOMO能量略有提高,LUMO能量有明显降低,使体系能隙减小,并随着链长增加影响幅度变小。TD-B3LYP激发能与DFT计算HOMO-LUMO能隙很好的线性相关。计算电子吸收光谱表明,随着链长递增,最低垂直激发能能量迅速递减(波长红移),其振子强度逐渐减小,最大波长吸收峰主要由并苯单元部分的电子跃迁引起的,而噻吩环对短波长处吸收峰有重要贡献的贡献。重组能和电离势计算表明,链长增加使重组能降低,电离势降低;2,6-二噻吩取代使重组能略有提高,电离势降低。