CdSe量子点/特种高分子材料复合膜的制备与性质研究

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半导体纳米粒子也称量子点由于具有独特的量子尺寸效应、隧道效应等独特的物理、化学性质以及随之而来的光学、电学特性,而受到广大科研工作者们的广泛关注和深入研究。但其纳米级的尺寸在带来一系列的特征优势的同时,也给多领域进一步应用带来了问题,不够稳定且易遭到环境影响的特质一般只有用惰性基质保护才可以实现应用。因此,制备量子点-聚合物复合材料是当前研究的新课题。本论文的主要目的是设计并制备了CdSe量子点与特种工高分子材料聚芳醚酮的复合物薄膜,系统研究了直接分散及原位生长的不同方式来制备量子点-聚合物薄膜,研究不同方式对于最终的复合物薄膜的发光性质的影响。在第二章中,以热注入方式成功制备了一些列尺寸可控(2.2~5.1nm)的高质量荧光CdSe纳米粒子,并研究了反应温度、脂肪胺用量及反应时间对反应的影响,继而使用制备的CdSe以直接分散溶解方式进行与聚合物的复合材料的制备,制备了复合光学膜。在第三章中,以原位生长的方式,通过一步法制备CdSe半导体量子点与带有苯羧基侧链的聚芳醚酮聚合物分子的复合体系为模型,制备出了高质量的荧光光学膜(10*10cm),其荧光性质及聚合物复合带来的不寻常的稳定性,该材料在未来量子点电池、发光二极管、数字显示等多领域的广泛应用奠定了材料基础;同时该方法作为制备纳米粒子与聚合物复合材料的优秀方式,也为复合材料制备特别是高分子复合材料的制备提供了方法依据和数据支持。
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