【摘 要】
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宽禁带半导体材料亦被称为第三代半导体材料，与第一代和第二代半导体材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小和导电性能好等特点而在许多领域应用中有着巨大前景。氧化锌是一种重要的宽禁带半导体，在室温下其带隙和激子束缚能分别为3.35eV、60meV，二氧化锡属于传统的宽带隙金属氧化物半导体材料，也是未来智能化领域所用到的重要新型半导体材料之一，本论文具体研究内容概括如下：1、以SnCl_
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宽禁带半导体材料亦被称为第三代半导体材料，与第一代和第二代半导体材料相比，具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小和导电性能好等特点而在许多领域应用中有着巨大前景。氧化锌是一种重要的宽禁带半导体，在室温下其带隙和激子束缚能分别为3.35eV、60meV，二氧化锡属于传统的宽带隙金属氧化物半导体材料，也是未来智能化领域所用到的重要新型半导体材料之一，本论文具体研究内容概括如下：1、以SnCl_4·5H_2O为原料、三重蒸馏水为溶剂，结合溶胶凝胶法与水热法合成了9种不同粒径的二氧化锡量子点
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