本论文叙述了噪声的数学基础和半导体器件的基本电噪声特性以及噪声用于电子器件可靠性表征的方法,介绍了噪声的测量方法和测试系统。基于噪声理论和测试系统,开展了半导体激光器低频电噪声与器件质量和可靠性之间相关性及双极晶体管电噪声与工艺结构之间关系的研究。对808nmGaAs/GaAlAs 高功率量子阱激光器进行电导数、低频电噪声测量和电老化测试,发现老化后部分器件电噪声降低,而电导数测试却显示器件品质发生了退化。分析表明:在一定的老化条件下,808nmGaAs/GaAlAs 高功率量子阱激光器发生退火效应,老化后劣质器件的电噪声下降。通过对比初始噪声大小及老化前后噪声下降的幅度可剔除早期失效产品。在加速电老化的过程中,发现噪声信号中出现g-r噪声、burst 噪声,它们可能是器件退化的明显标志,并且可能来自于相同的缺陷源。对采用不同终端技术生产的三种双极晶体管进行电噪声测试,得出结论:采用覆盖结构的终端技术可以控制器件的表面漏电流,降低器件的电噪声,提高器件的可靠性,这一结果对同类产品的研制、生产具有参考意义。