高介电常数、高击穿强度和低介质损耗的陶瓷介质的研制是电介质材料研究的重要领域。如何优化三者之间的关系是提高储能介质陶瓷储能密度的关键。本论文以SrTiO₃为基体,研究BaTiO₃、SrZrO₃在提高陶瓷体介电常数和改善陶瓷体耐压性能的作用,目的是制备出一种具有较高介电常数、介质损耗较低和耐电压性能好的储能介电陶瓷。本论文采用常规固相法制备Ba_0.3Sr_0.7(Zr_xTi_1-x)O₃（x=0.025、0.050、0.075、0.100、0.150、0.200）固溶体陶瓷,实验结果表明,在最佳烧结温度烧结3小时后,可以制备出单相的钙钛矿结构Ba_0.3Sr_0.7(Zr_xTi_1-x)O₃固溶体陶瓷。当x从0.025增加到0.200时,固溶体均为立方钙钛矿结构,陶瓷体的相对密度都在95%以上。随着x的增加,固溶体晶胞参数和晶胞体积线性增大;从陶瓷体SEM图谱上发现,固溶体粒径从5-10μm减至1-2μm,说明Zr⁴⁺取代Ti⁴⁺后,有抑制陶瓷体晶粒生长的作用。在1MHz测试频率下测试固溶体陶瓷的介电性能,研究陶瓷体的常温介电性能的变化规律。实验结果表明:随着x从0.025增加到0.150,体系的介电常数ε_r从610增加到680,随着x的进一步增加,固溶体陶瓷体系的常温介电常数略有下降。而体系的介质损耗随x的增加变化不明显。击穿强度随x增大先逐渐提高后下降,当x=0.025时,击穿强度为4.63kV/mm,而当x=0.150时,击穿强度提高到5.40kV/mm。然后本论文初步探讨陶瓷介质的击穿特性,通过分析Ba_0.3Sr_0.7TiO₃陶瓷击穿强度的统计分布规律,符合威布尔统计分布,表明Ba_0.3Sr_0.7TiO₃陶瓷的击穿强度符合弱点击穿的理论。