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半导体光催化剂钒酸铋(BiVO_4)因其合适的禁带宽度、导带、价带位置以及良好的化学稳定性而被广泛应用于光催化、光电催化等领域。然而,BiVO_4因本身电荷迁移率低和光生电子-空穴复合率高而导致光学活性受限制。为此,本论文针对BiVO_4光阳极材料的缺陷开展研究,分别在FTO基底上制备了g-C_3N_4/Mo:BiVO_4和NiOOH/PANI/BiVO_4光阳极材料,提高了BiVO_4的光电化学(PEC)分解水活性。主要研究内容如下:1、通过一种简单的浸泡法成功地将g-C_3N_4负载于Mo:Bi