利用太阳能驱动光催化全分解水来生产清洁燃料氢气与可利用的氧气是解决目前能源危机与环境问题的有效方法。半导体光催化技术可以将太阳能转变为更易于利用的化学能。而在太阳光谱中可见光的能量占比高达44%,因此,发展具有优异可见光响应的窄带隙半导体是实现高效光催化活性的关键。BiVO4是一种廉价易制备的窄带隙半导体材料并被广泛应用于光催化领域。但由于BiVO4光生电子还原能力较差,导致其全分解水性能有待进提升。通过构建Z型异质结是提高BiVO4全分解水性能的有效策略,而传统的BiVO4基Z型异质结缺少表面催化活性位点且两个半导体组份的吸光范围较为接近,很难进一步拓宽体系的光响应范围。因此,本论文发展了区别于传统Z型的宽光谱响应的、富含表面催化活性中心的新Z型NiPc/BiVO4超薄纳米复合体,致力于提高BiVO4光催化全分解水活性,并对其活性提升机制进行研究。本论文主要分为两部分工作:首先,通过羟基诱导组装的方法构建了宽光谱响应的Z型NiPc/BiVO4超薄纳米复合体。实验结果表明,NiPc与BiVO4具有独立的吸光范围,NiPc修饰显著拓宽了BiVO4的可见光响应范围。BiVO4与NiPc通过氢键连接的紧密界面使新Z型NiPc/BiVO4超薄纳米复合体表现出优异的电荷转移和分离性能,光催化全分解水活性显著提高。此外,对NiPc和BiVO4之间的Z型电荷转移机制给出证明。其次,引入磷酸诱导高度分散的NiPc与BiVO4可控组装。实验结果表明,磷酸调控可使NiPc在BiVO4纳米片表面以1～2层状态高度分散,显著提高其全分解水活性。通过对光催化活性提高机制探究可知:磷酸修饰极大提高了NiPc在BiVO4上的负载量（由1 wt.%提升至2.6 wt.%）,显著促进了NiPc和BiVO4之间的Z型电荷转移与分离。此外,磷酸修饰可形成表面负场,诱导BiVO4的光生空穴向表面迁移,进一步促进Z型电荷转移和分离,协同提高其光催化全分解水活性。