ZnO是一种直接宽带隙半导体发光材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60meV,在室温下可以实现激子发射。纳米材料具有体材料不具备的许多光学特性,利用其制成的光学材料将广泛应用于日常生活和高科技领域。稀土离子存在很多能级结构在近紫外和可见波段内,有许多的特征锐谱线,作为发光中心是一种比较好的选择。因此通过掺杂稀土离子来改善ZnO的发光性能并希望获得优异的发光材料。本文用溶剂热方法合成了粒径较小的Ce掺杂ZnO纳米棒和ZnO纳米球,二者的制备条件类似只是溶剂不同,用乙醇作溶剂时产物为ZnO纳米棒,用甲醇作溶剂时产物则为ZnO纳米球。ZnO纳米棒的粒径大约为10-20 nm,ZnO纳米球的粒径大约为20-30 nm。X射线衍射谱表明掺入铈离子使得ZnO的晶格常数变大,衍射峰向小角方向移动。通过比较纯的ZnO纳米棒和Ce掺杂ZnO纳米棒的紫外-可见吸收光谱发现掺杂使样品的激子吸收峰发生了明显的红移。而比较ZnO纳米球和Ce掺杂ZnO纳米球的紫外-可见吸收光谱则未发现掺杂样品的激子吸收峰有明显红移。从光致发光谱来看,Ce的掺杂使得ZnO纳米棒和纳米球的可见区发光增强。Ce掺杂使ZnO纳米棒紫外发光峰位发生红移而Ce掺杂使ZnO纳米球紫外发光峰位没有移动,以上结果表明,Ce掺杂对不同形貌的ZnO纳米粒子发光性质有影响。