第三代半导体材料中的ZnO(Zinc Oxide),其室温下的禁带宽度为3.37eV,且激子束缚能高达60meV,是制作光电子器件的理想材料。ZnO这种Ⅱb-Ⅵ族的直接宽禁带半导体还具有许多其他优异的性质,如化学和热学稳定性、压电特性、低毒性、生物适应性及高电子迁移率,使其成为当今半导体领域研究的热点；而且它的微纳米结构还具有高的比表面积和量子限制效应等独特的性质,使其在微纳米器件领域具有巨大的潜在应用价值。本文主要研究了ZnO基酒精气体探测器和紫外探测器件,这两种器件的核心部件均为一维结构的ZnO微米线。主要工作及结果如下：1.首先使用化学气相沉积法制备了ZnO微米线,再将分离后的单根ZnO微米线用银浆固定在基板上制成探头式酒精气体探测器,最后使用自制的塑料密封腔进行酒精气体敏感性研究。通过对该器件的敏感度、探测极限和重复性的研究,发现它的探测机制是以C2H5OH为还原性气体而非氧化性气体,这与大多数文献中所提到的工作原理截然相反。这也决定了它必须在含有紫外成分的光的照射下工作,使微米线的电阻相对降低,保证其正常工作。将多个单线器件(1-WD)通过简单的并联方式连接成多线器件(m-WD),其灵敏度基本不变,表明通过这种简单途径可以大大提高器件的稳定性和可靠性。该探测器的突出优点在于它无需加热元件就可以在室温下工作,并且具有良好的响应特性。2.研究了ZnO微米线的紫外(UV)响应特性,并以此为基础设计了一种球面阵列结构,这种结构理论上对目标源有很好的定位和测速功能,可以作为紫外预警系统的核心部件。