本文研究了紫外辐射对预沉降NaCl盐粒的纯铜大气腐蚀过程的影响进行了探究,研究发现紫外辐射能够明显促进纯铜的大气腐蚀速率。紫外辐射能够改变腐蚀产物的形貌但不改变腐蚀产物的种类。在光照的条件下,锈蚀的纯铜片产生了一个负的光电压,是由腐蚀产物的光电化学性质造成的。一般认为负移的电位能够保护金属,但是本研究中在该情况下却加速了纯铜的腐蚀。为了研究这一过程,我们将腐蚀产物刮下后涂覆在FTO导电玻璃表面制成薄膜光电极,来研究其光电化学效应。结果发现,光照下腐蚀产物光电极产生的光致电位表现为正移,这和锈蚀的纯铜电极的现象正好相反。如将薄膜光电极与干净的纯铜电极偶联,发现该偶联体系的光致电位变化表现为正移,而测量FTO薄膜光电极与干净纯铜电极之间电流,电子从纯铜电极流入FTO薄膜光电极。说明是腐蚀产物在纯铜表面发生的光电化学反应与在FTO玻璃表面发生的光电化学反应是不一样。腐蚀产物在纯铜表面时,紫外辐射下激发腐蚀产物表现出光电化学效应产生光生电子和空穴,电子流向溶液和溶液反应,空穴和基体反应,由于空穴反应速率比电子快,导致电子积累,产生光电位负移而加速铜腐蚀的现象。当腐蚀产物在FTO玻璃表面时,产生的光生空穴将不能与FTO玻璃反应,电子却与溶液反应,导致空穴积累,表现为该体系的光电位正移。光电流的测定结果表明光照导致电子从金属表面流向腐蚀产物,也说明了加速铜腐蚀这一现象。此外,本文还探究了紫外光照下多种半导体材料对纯铜大气腐蚀的影响,结果表明在实际暴露中,紫外光照条件下涂覆TiO₂在能够对纯铜产生保护作用,这与其光电化学作用有密切关系,具体过程和反应机理还需进一步实验和研究。