等离子体浸没注入（PⅢ）是近年来出现的一种新型材料表面改性工艺。相比较传统的离子注入,它具有注入电压低,注入的剂量高的优势。PⅢ起初被应用于金属材料的力学性能改善,后来逐渐运用于生物,陶瓷,高分子材料等领域。近年来,PⅢ在微电子领域的应用逐渐的成为研究的热点。我们对注入过程进行参数模拟。我们和合作者共同搭建了一台等离子浸没注入设备,根据微电子材料的注入参数要求定制了一台高压电源设备。并进行了设备的真空度和加载电压调试。然后,利用PⅢ设备对一系列光电材料进行PⅢ表面改性处理,分析研究材料注入前后的性能变化。P型透明导电材料是目前光电材料研究领域中的难题。采用PⅢ设备对In₂O₃基薄膜材料进行N₂⁺掺杂。分析注入后In₂O₃基薄膜材料的透光性能和电阻率的变化,并讨论了产生变化的原因。采用PⅢ设备对ZnO薄膜材料进行N₂⁺掺杂。观察ZnO薄膜材料在注入后的hall电学性能的变化,探讨产生电学性能变化的机理。本文对无酸水热法生长多孔硅（PS）材料做了进一步的尝试,在不同的反应物剂量下制备出具有不同表面孔径度的多孔硅材料。并观察其光致发光性能的规律。采用PⅢ技术对多孔硅进行改性处理,发现其多孔硅发光峰位蓝移,分析讨论其发光机理。